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东旭首批玻璃芯封装基板研制成功 实现TGV关键技术突围
类别:电子玻璃  日期:2025-9-10  来源:  点击率:2076  打印 关闭

        随着5G、人工智能、高性能计算等技术的发展,全球半导体产业正迎来新一轮技术变革与产能竞赛。尤其在先进封装领域,传统有机基板已逐渐逼近物理极限,玻璃基板凭借优异平整度、高热稳定性、低信号损耗等特性,成为下一代高密度封装的核心材料,备受行业关注。

  近日,国内电子玻璃龙头企业东旭集团宣布,已成功完成首批TGV(玻璃通孔)相关产品的开发,并向下游客户送样。产品覆盖6寸、8寸、12寸晶圆级规格以及510×515mm板级产品,多项关键技术指标达国际一流水平,标志着我国在先进封装材料领域实现重要突破。

  技术驱动:TGV技术实现重大突破

  封装是芯片制造中不可或缺的环节,直接影响芯片的性能、可靠性和集成度。随着芯片制程工艺逐渐逼近物理极限,通过封装技术提升整体性能已成为行业共识。玻璃基板具有更低热膨胀系数(CTE)、更高机械强度和更优高频传输性能,其在减小温差翘曲、增强抗形变能力和提供可靠结构支撑方面显著优于有机和陶瓷基板。

  “玻璃基板尤其适用于高功率、高互联密度的芯片,如AI加速卡、GPU、车载芯片等”某半导体行业分析师表示,“其在散热、信号完整性等方面的优势,是传统材料难以比拟的。”

  作为2.5D/3D先进封装的核心,TGV技术凭借其颠覆性的性能优势,成为突破芯片性能瓶颈的关键。东旭依托其在电子玻璃领域深厚的技术积淀,向下游延伸,在TGV技术上,破解传统封装瓶颈,实现全方位突破。

玻璃封装基板示意图玻璃封装基板示意图

  独创激光诱导刻蚀打孔技术,配合定制刻蚀液,实现通孔圆度≥95%、孔径≥20μm、深径比10:1,粗糙度控制在1nm以下,孔型可灵活实现X型孔与垂直孔;镀铜环节采用双面垂直电镀技术,实现100%通孔填充,铜层结合力>5N/cm,种子层连续无断点,确保卓越的电气连接性能。

圆形及方形TGV玻璃(通孔后的封装基板玻璃)样式圆形及方形TGV玻璃(通孔后的封装基板玻璃)样式

  市场竞争:国际巨头抢先布局,国产替代迎机遇

  目前,全球封装玻璃基板市场仍处于起步阶段,但已吸引包括英伟达、英特尔、三星电子等国际厂商积极布局。据悉,英特尔投资十亿美元建设试产线,计划2030年批量生产;英伟达认为玻璃基板可降低近50%功耗,有望成为高端GPU封装方案。

  据市场调研机构Yole Development预测,2025年后玻璃基板封装市场将进入高速成长期,预计2029年封装基板市场规模将突破315亿美元,复合增长率超10%,尤其在AI、HPC(高性能计算)等领域有望率先放量。

  战略纵深:从“替代进口”到“定义标准”

  东旭早在多年前就已启动“屏芯协同”战略,推动显示玻璃与半导体材料双向赋能。此次TGV相关产品的成功开发,不仅是技术层面的突破,为企业自身打开新的增长空间,更为中国半导体材料国产替代注入了强心剂。

  产业链布局上,东旭作为国内电子玻璃领军者,液晶玻璃基板和高端盖板玻璃技术稳居全球前列,拥有“国家科学技术进步奖”“中国专利金奖”等多项荣誉。上下游协同,形成“材料-制造-封装”全链条能力,持续推动TGV技术从研发走向量产。



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