F、Nb共掺杂高导电SnO2薄膜的研制

史国华，刘起英

（中国玻璃控股有限公司，威海中玻新材料技术研发有限公司，威海　264205）

摘要：SnO2薄膜是重要的透明电极材料，其导电性能主要取决于掺杂方式和制备工艺。由于传统的掺杂工艺及单元素掺杂对薄膜光电性能的改善遇到瓶颈，实施多元共掺杂，利用元素之间的协同增强作用，成为进一步提升薄膜光电性能的重要手段。首先通过第一性原理对薄膜结构参数和电学性能进行计算，分析了F、Nb共掺杂的可行性与合理性，并用常压化学气相沉积（APCVD）技术，模拟浮法玻璃在线镀膜工艺，沉积了F、Nb共掺杂的SnO2薄膜，对其导电性能有明显提升，电阻率可降至3.6×10-4Ω·cm。通过微结构与形貌分析，研究了薄膜生长与光电性能的物理机制。适量的Nb掺杂，可以改善薄膜的结晶性能，薄膜更倾向于（200）结晶取向。

该篇文章刊登在《建筑玻璃与工业玻璃》2023年第5期