公开（公告）号：­ CN111018363A

公开（公告）日：2020.04.17

申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第三十三研究所

本发明涉及ITO薄膜领域，具体涉及一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃及制备方法。包括基体玻璃与ITO‑Ag复合膜，所述ITO‑Ag复合膜分别镀于所述基体玻璃的两侧，且每侧ITO‑Ag复合膜均至少镀制一层。本发明一种提高电磁屏蔽效能的ITO薄膜玻璃的制备方法包括：S1、制备基体，采用浮法玻璃作为支撑体；S2、准备靶材，分别准备ITO靶材与Ag靶材；S3、表面镀膜，多靶磁控溅射沉积技术制备ITO‑Ag复合膜；S4、高温退火，高温退火工艺对薄膜进行热处理；S5、成型切割，异型裁切机将镀制好的镀膜玻璃进行最后分切。本发明采用技术成熟的制备工艺，其可靠性高、可批量生产，可任意裁切，非常适用于ITO薄膜在电磁屏蔽领域的应用。