申请号：CN201510014624.3
申请日：2015.01.12
公开（公告）号：CN104611676B
公开（公告）日：2017.04.05 
申请（专利权）人：宜昌南玻显示器件有限公司 

    本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备，包括依次相连的镀膜腔室、过渡室、缓冲室、出口锁定室、出口室和骤冷室；所述镀膜腔室的设置温度为380℃～600℃，所述骤冷室的设置温度为5℃～15℃，所述骤冷室的长度为0.5m～3.0m。这种磁控溅射镀膜设备，通过控制镀完ITO膜的ITO玻璃从温度较高的镀膜腔室依次通过过渡室、缓冲室、出口锁定室和出口室后，通过温度很低的骤冷室，使得镀ITO膜的玻璃基板的温度快速降低至50℃以下，通过骤冷的方式提升ITO膜层的硬度，制得ITO膜层硬度更高的ITO玻璃。本发明还公开了一种采用上述磁控溅射镀膜设备的ITO玻璃的制备方法。