申请号 CN201610984967.7
申请日 2016.11.09
公开（公告）号 CN106571174A
公开（公告）日 2017.04.19
申请（专利权）人 宜昌南玻显示器件有限公司 

    本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜，该方法采用氧化铟的质量百分含量为87％～93％的氧化铟锡作为靶材，在氢气的体积百分含量为0.3％～1.5％的第一反应气体的氛围下，在衬底上磁控溅射沉积形成第一氧化铟锡薄膜。然后以氧化铟的质量百分含量为93％～95％的氧化铟锡作为靶材，向腔体内通入氩气或氩氧混合气体组成的第二反应气体，在第一氧化铟锡薄膜上磁控溅射沉积形成第二氧化铟锡薄膜。进行电路蚀刻时，内层的微晶氧化铟锡层较易蚀刻，提升氧化铟锡的蚀刻速率，减少蚀刻不净不良。