公开（公告）号：CN105745354A公开（公告）日：2016.07.06申请（专利权）人：旭硝子株式会社 本发明涉及TiO2薄膜的形成方法，其为使用常压CVD法在基板上形成TiO2薄膜的方法，其中，原料气体包含钛酸四异丙酯(TTIP)和能够在100～400℃的温度区域中汽化的金属M的氯化物，所述金属M的氯化物的量以相对于钛酸四异丙酯(TTIP)的浓度比(金属M的氯化物(摩尔％)/TTIP(摩尔％))计为0.01～0.18。