<申请号>200910234399.9

<申请人>江苏秀强玻璃工艺股份有限公司

    本发明的目的在于提供一种用磁控溅射方法制备的完全截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法，包含完全截止紫外线阳光控制、完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法。在玻璃基片上镀制硅或硅合金膜作为紫外线吸收膜，利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm～550nm的特点，完全截止紫外线。所述的硅或硅合金膜层的厚度为10～200纳米，用Ar作为工作气体，工作气压为0.30～0.37Pa。用单纯硅靶材溅射沉积硅膜、或在单纯硅中掺加B、P、Al、C和Ge形成的硅合金靶材溅射沉积硅合金膜。本发明在汽车、火车、轮船、建筑、家电用玻璃材料和照明玻璃灯具工业方面具有广泛的应用，前景广阔。