<申请号>200610053270

<申请人>浙江大学

    本发明公开的在玻璃基板上沉积ＴｉＮ薄膜的方法，其步骤如下：将经清洗的玻璃基板放入化学气相沉积装置反应室的石墨支架上，反应室抽真空至－０.０２Ｍｐａ，并通入Ｎ２对反应室进行清洗；调节进气管道喷头和玻璃基板之间的距离范围为５～２５ｃｍ；向反应室通入ＴｉＣ４、ＮＨ３和Ｎ２反应气体，在600℃的温度条件下进行沉积，沉积完毕，停止通入气体，冷却即可。本发明工艺简单，通过调节喷头和基板间的距离，可以方便地控制沉积在玻璃基板上ＴｉＮ薄膜的电阻率及表面形貌、光学性能等。